慧荣科技于2016全球闪存峰会中展出最新SM2260 交钥匙式PCIe SSD

　　一年一度的内存峰会(FlashMemorySummit)于当地时间8月9日至11日，在美国加州圣克拉拉举行。全球闪存领军企业齐聚一堂，纷纷推出巿场最新闪存技术及产品。在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(SiliconMotionTechnologyCorporation,纳斯达克交易代码:SIMO)在本次峰会中展出首款PCIeSSD控制芯片解决方案SM2260，作为PCIe3.0NVMe1.2

　　2016年8月12日，美国加州圣克拉拉一年一度的内存峰会(FlashMemorySummit)于当地时间8月9日至11日，在美国加州圣克拉拉举行。全球闪存领军企业齐聚一堂，纷纷推出巿场最新闪存技术及产品。在设计和推广固态存储设备专用NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技公司(SiliconMotionTechnologyCorporation,纳斯达克交易代码:SIMO)在本次峰会中展出首款PCIeSSD控制芯片解决方案SM2260，作为PCIe3.0NVMe1.2的控制芯片，SM2260为8通道设计，最高可支持2TB容量。

　　图一：慧荣科技展出SM2260解决方案

　　在本次展会中，我们还可以看到此款SM2260搭配3DNAND的效能表现：读取速度可达2370MB，输写速度为1039MB，读写表现可圈可点。另外，SM2260控制器采用了RAID保护功能的专有NANDXtend?技术，有效提升解错能力，并确保数据的完整性。该款产品经过多项兼容性及稳定测试后才得以上巿，可谓众望所归。根据慧荣科技工作人员表示，SM2260已经被知名SSD厂商所采用，很快就会在巿场上看见。

　　图二：SM2260控制芯片各方面性能表现

　　除了SM2260PCIeSSD主控芯片外，慧荣科技还介绍了新推出的搭载3DTLCNAND的SM2258控制器，性能表现同样出色，完胜巿场上大多数SATASSD。

　　图四：宝存科技展台

　　宝存科技携ShannonDirect-IO?PCIeFlash及U.2(8639)PCIeFlash产品再度亮相闪存峰会。该系列产品不仅性能上不断完善，而且闪存颗粒工艺也由19/20nm更换为15nm，从成本上满足了企业对高性价比的追求。

　　图六：宝存科技推出的ShannonDirect-IO?U.2(8639)PCIeFlash系列

　　宝存科技预计将于今年下半年发布遵循NVMe标准的PCIeFlash产品，在本次展会现场可以找到该款产品的相关资料。宝存科技的NVMe是遵循PCIe标准的高速存储设备。相比Direct-IO?PCIeFlash基于标准PCIe的高度可定制化架构，宝存科技的NMVe会拥有更好的通用性，并且在中小容量段更有应用的优势。通过Direct-IO?和NMVe两条PCIe产品线的构建，满足不同用户对不同场景的性能需求。

　　图七：宝存科技NVMe产品性能数据

　　在今年全球闪存峰会中，除了一睹慧栄科技在闪存技术的优势外，也可以了解慧栄过去十年的成果。慧荣科技致今已经销售超过50倍颗闪存相关主控芯片，成为全球销售第一的王者品牌。

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